Samsung контролирует почти 40% рынка оперативной памяти DRAM

Восстановление лидерства на рынке полупроводников

Южнокорейский гигант Samsung Electronics заметно укрепил свои позиции в сегменте оперативной памяти DRAM. Согласно свежим аналитическим отчетам за первый квартал, компании удалось увеличить долю мирового рынка почти до 40%. Это свидетельствует о постепенном преодолении спада в полупроводниковой отрасли и возвращении стабильного спроса на вычислительные компоненты.

Главным драйвером роста стали поставки высокопроизводительной памяти для серверных платформ, обеспечивающих работу систем искусственного интеллекта и крупных дата-центров. Увеличение объемов производства чипов высокой плотности позволило компенсировать умеренные темпы роста в сегменте пользовательских устройств, таких как смартфоны и ПК.

Факторы роста выручки и операционной маржи

Аналитики отмечают, что увеличение доли рынка происходило одновременно с ростом средней цены продажи (ASP) на чипы памяти. Производители ранее сдерживали объемы выпуска для балансировки спроса и предложения, что позволило вернуть прибыльность бизнеса к позитивным показателям.

• Спрос на серверные решения. Дата-центры активно закупают модули памяти высокой емкости.
• Рост цен. Средняя стоимость контрактных поставок DRAM увеличилась на двузначный процент год к году.
• Переход на новые стандарты. Массовое внедрение стандарта DDR5 вместо DDR4 способствует повышению выручки.

Роль памяти HBM в стратегии компании

Особое внимание в стратегии Samsung уделено сегменту высокоскоростной памяти (High Bandwidth Memory, HBM). Память HBM3E и последующие поколения HBM4 стали критическим компонентом для функционирования современных графических процессоров, используемых при обучении больших языковых моделей. Samsung ведет активную конкуренцию с SK Hynix за заказы от ключевых разработчиков чипов ИИ.

Инженерные подразделения компании наращивают выпуск 12-слойных стеков HBM3E, обеспечивающих высокую пропускную способность передачи данных. Массовое производство таких решений позволяет заказчикам создавать более мощные вычислительные узлы с оптимальным энергопотреблением.

Производственные мощности и технологические процессы

Выпуск современной DRAM осуществляется по техпроцессу класса 12-нм (1b нм). Использование ультрафиолетовой литографии extreme ultraviolet (EUV) позволяет добиваться высокой плотности размещения транзисторов на кремниевой пластине и снижать себестоимость изготовления отдельных микросхем.

1. Оптимизация использования EUV-сканеров на заводах в Пхёнтхэке.
2. Увеличение выхода годных кристаллов при переходе на новые нормы техпроцесса.
3. Масштабирование выпуска чипов LPDDR5X для флагманских мобильных устройств.

Прогнозы развития рынка оперативной памяти

Аналитики полагают, что позитивная динамика сохранится в ближайшие кварталы. Дальнейшее развитие генеративного искусственного интеллекта потребует наращивания объемов оперативной памяти не только в серверах, но и на конечных устройствах (On-Device AI). Это создает условия для стабильного роста доходов поставщиков полупроводников.

Тем не менее, компания сталкивается с жесткой конкуренцией. Баланс сил на рынке зависит от скорости сертификации новых типов памяти ключевыми клиентами и способности производителей поддерживать высокие стандарты качества при больших объемах выпуска.